如何具體測算LED的結(jié)溫。
現(xiàn)在就以Cree公司的XLamp7090XR-E為例。來說明如何具體測算LED的結(jié)溫。要求已經(jīng)把LED安裝到散熱器里,并且是采用恒流驅(qū)動器作為電 源。同時要把連接到LED去的兩根線引出來。在通電以前就把電壓表連接到輸出端(LED的正極和負極),然后接通電源,趁LED還沒有熱起來之前,馬上讀 出電壓表的讀數(shù),也就是相當(dāng)于V1的值,然后等至少1小時,等它已經(jīng)達到熱平衡,再測一次,LED兩端的電壓,相當(dāng)于V2。把這兩個值相減,得出其差值。 再被4mV去除一下,就可以得出結(jié)溫了。實際上,LED多半為很多個串聯(lián)再并聯(lián),這也不要緊,這時的電壓差值是由很多串聯(lián)的LED所共同貢獻,所以要把這 個電壓差值除以所串聯(lián)的LED數(shù)目再去除以4mV,就可以得到其結(jié)溫。例如,LED是10串2并,第一次測得的電壓為33V,第二次熱平衡后測得的電壓為 30V,電壓差為3V。這個數(shù)字先要除以所串聯(lián)的LED個數(shù)(10個),得到0.3V,再除以4mV,可以得到75度。假定開機前的環(huán)境溫度是20度,那 么這時候的結(jié)溫就應(yīng)當(dāng)是95度。
如何測量led燈珠結(jié)溫:直接把測試點放在芯片上,測出來的溫度不是結(jié)溫。 1. 所為結(jié)溫∶是在芯片中間 P層和N層接合面的溫度,這個接合面不是以粘合方法制作,而是強迫力擠入形成,無法接觸到; 2. 芯片本身(GaAs)熱傳導(dǎo)能力有限(和金屬比較); 3. 芯片發(fā)光時,以熱電偶式量測會有光電效應(yīng)干擾,以紅外線量測有光干擾,所以無法直接量測。所以只有以間接的方法,計算得到。因為芯片上的溫度干擾因素?zé)o法量化,所以無法采用,只能用LED外側(cè)最接近的金屬位置量測,因為熱阻系數(shù)是固定參數(shù),多測試幾種功率,然后以聯(lián)立方程式計算,可以得到接近的結(jié)溫。
您好,電子測量方法有兩種測量方案,一種是靜態(tài)方式在通過溫度敏感參數(shù)檢測結(jié)溫時,加在器件上的熱功率不變,這種方式適用于具有熱測試芯片或處于工作狀態(tài)的半導(dǎo)體器件;另一種是動態(tài)方式,首先處于溫度敏感參數(shù)的測量條件階段,接著將熱功率加到被測器件并保持一定時間,處于加熱條件階段,然后再返回測量條件階段,這種方式則適用于大多數(shù)測試情況。在這兩種方式中,初始狀態(tài)和最終狀態(tài)下的被測量之差和由于施加一定時間的熱功率而引起器件溫度上升量直接相關(guān)。
結(jié)溫的測量采用的是動態(tài)電學(xué)測量方法,該方法利用發(fā)光二極管PN結(jié)的正向壓降Vf與PN結(jié)的溫度成線性關(guān)系的特性[5],見公式(Vf=A+BTo,式中T0為環(huán)境溫度(測試中即爐溫),A、B為線性擬合系數(shù),B是正向壓降隨溫度變化的系數(shù))。通過測量其在不同溫度下的正向壓降差來得到發(fā)光二極管的結(jié)溫。測試過程中我們采用了雙芯片結(jié)構(gòu),在測量中PN結(jié)既是被測對象,同時也是溫度傳感器,PN結(jié)溫度的變化通過溫度敏感參數(shù)即PN結(jié)正向壓降的變化輸出,這樣就簡化了測試線路和結(jié)構(gòu),同時消除了因附加溫度傳感器而引入的測量誤差