主要流程如下:
1、電池測試:由于電池片制作條件的隨機性,生產出來的電池性能不盡相同,所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起,所以應根據其性能參數進行分類;電池測試即通過測試電池的輸出參數(電流和電壓)的大小對其進行分類。以提高電池的利用率,做出質量合格的電池組件。
2、 正面焊接:是將匯流帶焊接到電池正面(負極)的主柵線上,匯流帶為鍍錫的銅帶,我們使用的焊接機可以將焊帶以多點的形式點焊在主柵線上。焊接用的熱源為一個紅外燈(利用紅外線的熱效應)。焊帶的長度約為電池邊長的2倍。多出的焊帶在背面焊接時與后面的電池片的背面電極相連。(我們公司采用的是手工焊接)
3、背面串接:背面焊接是將36片電池串接在一起形成一個組件串,我們目前采用的工藝是手動的,電池的定位主要靠一個膜具板,上面有36個放置電池片的凹槽,槽的大小和電池的大小相對應,槽的位置已經設計好,不同規格的組件使用不同的模板,操作者使用電烙鐵和焊錫絲將"前面電池"的正面電極(負極)焊接到"后面電池"的背面電極(正極)上,這樣依次將36片串接在一起并在組件串的正負極焊接出引線。
4、層壓敷設:背面串接好且經過檢驗合格后,將組件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纖維、背板按照一定的層次敷設好,準備層壓。玻璃事先涂一層試劑(primer)以增加玻璃和EVA的粘接強度。敷設時保證電池串與玻璃等材料的相對位置,調整好電池間的距離,為層壓打好基礎。(敷設層次:由下向上:玻璃、EVA、電池、EVA、玻璃纖維、背板)。
5、組件層壓:將敷設好的電池放入層壓機內,通過抽真空將組件內的空氣抽出,然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起;最后冷卻取出組件。層壓工藝是組件生產的關鍵一步,層壓溫度層壓時間根據EVA的性質決定。我們使用快速固化EVA時,層壓循環時間約為25分鐘。固化溫度為150℃。
6、修邊:層壓時EVA熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊,所以層壓完畢應將其切除。
7、 裝框:類似與給玻璃裝一個鏡框;給玻璃組件裝鋁框,增加組件的強度,進一步的密封電池組件,延長電池的使用壽命。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。各邊框間用角鍵連接。
8、焊接接線盒:在組件背面引線處焊接一個盒子,以利于電池與其他設備或電池間的連接。
9、高壓測試:高壓測試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓,測試組件的耐壓性和絕緣強度,以保證組件在惡劣的自然條件(雷擊等)下不被損壞。
10、組件測試:測試的目的是對電池的輸出功率進行標定,測試其輸出特性,確定組件的質量等級。
(1);切片:采用多線切割,將硅棒切割成正方形的硅片。
(2)清洗:用常規的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。
(3) ??制備絨面:用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。
(4) ??磷擴散:采用涂布源(或液態源,或固態氮化磷片狀源)進行擴散,制成PN+結,結深一般為0.3-0.5um。
(5) ??周邊刻蝕:擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層,會使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。
(6)去除背面PN+結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結。
(7) ??制作上下電極:用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先制作下電極,然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。
(8) ??制作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??,SiO2 ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??,Al2O3 ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??,SiO ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??,Si3N4 ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??,TiO2 ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。
{ ?? ?? ??9) ?? ??燒結:將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。
(10)測試分檔:按規定參數規范,測試分類。
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硅片檢測——表面制絨及酸洗——擴散制結——去磷硅玻璃——等離子刻蝕及酸洗——鍍減反射膜——絲網印刷——快速燒結等。具體介紹如下:
硅片是太陽能電池片的載體,硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低,因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術參數進行在線測量,這些參數主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、硅片傳輸、系統整合部分和四個檢測模塊。