你好,兩者區別主要有:
1.一個是電流驅動型(三極管);一個是電壓驅動型(MOS);
2、三極管便宜,mos管貴。
3、三極管損耗大。
4、mos管常用來電源開關,以及大電流地方開關電路。 三極管比較便宜,用起來方便,常用在數字電路開關控制。 MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
一般來說低成本場合,普通應用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管。
希望能幫到你。
1、工作性質:三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制,
2、成本問題:三極管便宜,mos管貴。
3、功耗問題:三極管損耗大。
4、驅動能力:mos管常用來電源開關,以及大電流地方開關電路。
實際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數字電路開關控制。
MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
一般來說低成本場合,普通應用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管
實際上說電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和
mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨
器為例,當基極加不加電壓時,基區和發射區組成的pn結為阻止多子(基區為空穴,發
射區為電子)的擴散運動,在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場(即內建電
場),當基極外加正電壓的指向為基區指向發射區,當基極外加電壓產生的電場大于內
建電場時,基區的載流子(電子)才有可能從基區流向發射區,此電壓的最小值即pn結
的正向導通電壓(工程上一般認為0.7v)。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在,此
時如果集電極-發射極加正電壓,在電場作用下,發射區的電子往基區運動(實際上都是
電子的反方向運動),由于基區寬度很小,電子很容易越過基區到達集電區,并與此處
的PN的空穴復合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場的作用下集電區的電子加速外
集電極運動,而空穴則為pn結處運動,此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電
源回到發射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時,兩個pn結都會感應出電荷,
當做開關管處于導通狀態時,三極管處于飽和狀態,如果這時三極管截至,pn結感應的
電荷要恢復到平衡狀態,這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個恢復
時間,因此可以用作高速開關管。
實際上說電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和
mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨
器為例,當基極加不加電壓時,基區和發射區組成的pn結為阻止多子(基區為空穴,發
射區為電子)的擴散運動,在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場(即內建電
場),當基極外加正電壓的指向為基區指向發射區,當基極外加電壓產生的電場大于內
建電場時,基區的載流子(電子)才有可能從基區流向發射區,此電壓的最小值即pn結
的正向導通電壓(工程上一般認為0.7v)。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在,此
時如果集電極-發射極加正電壓,在電場作用下,發射區的電子往基區運動(實際上都是
電子的反方向運動),由于基區寬度很小,電子很容易越過基區到達集電區,并與此處
的PN的空穴復合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場的作用下集電區的電子加速外
集電極運動,而空穴則為pn結處運動,此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電
源回到發射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時,兩個pn結都會感應出電荷,
當做開關管處于導通狀態時,三極管處于飽和狀態,如果這時三極管截至,pn結感應的
電荷要恢復到平衡狀態,這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個恢復
時間,因此可以用作高速開關管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
三極管,是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, ??也用作無觸點開關。晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。