半導體三極管,是內部含有兩個PN結,外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用,應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書刊和實用中都簡稱為TTL電路,它屬于半導體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個獨立的元件。半導體三極管[font color=#000000]是電路中[/font]應用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號為“Q”、“GB”等)表示。
常見的晶體三極管有硅三極管和鍺三極管兩種,每種材料的三極管中又有NPN型和PNP型兩種結構形式。但是它們的工作原理卻是完全相同的。下面以PNP型三極管為例說明。
發射結施加正向電壓,而集電結施加反向電壓。由于發射結上加有正向電壓,發射結的阻擋層變薄,發射區內的多數載流子空穴通過發射結向基區運動,形成發射極電流J。(當然發射極電流中也包括基區內的多數載流子電子通過發射結向發射區運動的電流,但由于基區很薄,這部分電流遠小于發射極注入到基區的空穴流,可以忽略不計)。發射極電流的大小與發射結上施加的正向電壓有關。它們之間的關系和二極管正向特性相似。發射極注入到基區內的空穴成為基區中的少數載流子,大量的電子堆積在基區內靠近發射結一邊,而靠近集電結的基區一邊的空穴被集電結施加的反向電壓吸引到集電區,于是基區內形成了由發射結向集電結的空穴梯度,就產生了空穴在基區的擴散運動--由發射結向集電結的擴散。在擴散運動過程中,空穴也會有一部分與基區內的電子復合,這就形成了基極電流j。
半導體三極管,是內部含有兩個PN結,外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用,應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書刊和實用中都簡稱為TTL電路,它屬于半導體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個獨立的元件。半導體三極管[font color=#000000]是電路中[/font]應用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號為“Q”、“GB”等)表示。
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1、發射區向基區發射電子 電源Ub經過電阻Rb加在發射結上,發射結正偏,發射區的多數載流子(自由電子)不斷地越過發射結進入基區,形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散,但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度,可以不考慮這個電流,因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合 電子進入基區后,先在靠近發射結的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區中向集電結擴散,被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因為基區很薄)與基區的空穴復合,擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力
半導體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結,組成一個PNP(或NPN)結構。中間的N區(或P區)叫基區,兩邊的區域叫發射區和集電區,這三部分各有一條電極引線,分別叫基極B、發射極E和集電極C,是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。三極管作為一種重要的半導體器件,在集成電路中被廣泛使用。
而關于三極管工作原理,由于我們并非專業人士,所以只能簡單地說明一下。就是發射極向基極發射電子,在基極產生電流,再擴散至集電極從而產生集電極電流。
三極管是電流放大器件,有三個極,分別叫做集電極C,基極B,發射極E。分成NPN和PNP兩種
晶體三極管集電極電流受基極電流的控制(假設電源 能夠提供給集電極足夠大的電流的話),并且基極電流很小的變化,會引起集電極電流很大的變化,且變化滿足一定的比例關系:集電極電流的變化量是基極電流變 化量的β倍,即電流變化被放大了β倍,所以我們把β叫做三極管的放大倍數(β一般遠大于1,例如幾十,幾百)。如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發射 極之間,這就會引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大后,導致了Ic很大的變化。三極管是電流控制型器件。