真空鍍膜原理是膜體在高溫下蒸發落在工件表面結晶。由于空氣對蒸發的膜體分子會產生阻力造成碰撞使結晶體變得粗糙無光,所以必須在高真空下才能使結晶體細密光亮,果如真空度不高結晶體就會失去光澤結合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發體自然散射,結合差工效低光澤差?,F在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發分子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜,解決了過去自然蒸發無法加工的膜體品種,如鍍鈦鍍鋯等等。
真空鍍膜工作原理是膜體在高溫下蒸發落在工件表面結晶。由于空氣對蒸發的膜體分子會產生阻力造成碰撞使結晶體變得粗糙無光,所以必須在高真空下才能使結晶體細密光亮,果如真空度不高結晶體就會失去光澤結合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發體自然散射,結合差工效低光澤差?,F在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發分子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜,解決了過去自然蒸發無法加工的膜體品種,如鍍鈦鍍鋯等等。
目前真空管膜層普遍采用鋁氮復合膜,整個膜層分內、中、外三層,各有其作用,內層為反射層,主要作用是阻止管中熱水的熱量向外輻射;中層為吸收層,主要作用是吸收光能,并轉化成熱能;外層為減反層,主要作用是減少陽光的反射,增加陽光的吸收率。
真空管鍍膜的原理是:真空管膜層普遍采用鋁氮復合膜,整個膜層分內、中、外三層,各有其作用,內層為反射層,主要作用是阻止管中熱水的熱量向外輻射;中層為吸收層,主要作用是吸收光能,并轉化成熱能;外層為減反層,主要作用是減少陽光的反射,增加陽光的吸收率。
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第于1857年提出,現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜設備結構如圖1。 蒸發物質如金屬、化合物等置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統抽至高真空后,加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜,常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏。
真空管鍍膜的原理是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上。?磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。