陶瓷電容: 用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器,用于高穩定振蕩回路中,作為回路電容
是用陶瓷作為電介質,在陶瓷基體兩面噴涂銀層,然后經低溫燒成銀質薄膜作極板而制成。有Y5V,X5R,X7R,NPO(COG)這幾種的,又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。
國際標準普遍采用X-射線熒光光譜分析,所用標準樣品需采用高純氧化物配制,配制程序復雜,對分析成分較多的氧化鋁樣品則嚴格按照國際標準化組織(ISO)、JB/T4281-1999標準和ISO5182-1999(E)國際標準規
FAP,TAP,FAP,ICP,φ3.6x10mm ??3.6 ??x ??10mm, ??F ??(100mA,125mA,160mA,200mA,250mA,300mA,315mA,350mA,375mA,400mA