1、直流參數
(1)集電極一基極反向飽和電流Icbo,發射極開路(Ie=0)時,基極和集電極之間加上規定的反向電壓Vcb時的集電極反向電流,它只與溫度有關,在一定溫度下是個常數,所以稱為集電極一基極的反向飽和電流.良好的三極管,Icbo很小,小功率鍺管的Icbo約為1~10微安,大功率鍺管的Icbo可達數毫安,而硅管的Icbo則非常小,是毫微安級.
(2)集電極一發射極反向電流Iceo(穿透電流)基極開路(Ib=0)時,集電極和發射極之間加上規定反向電壓Vce時的集電極電流.Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩定性的重要參數,其值越小,性能越穩定,小功率鍺管的Iceo比硅管大.
(3)發射極---基極反向電流Iebo 集電極開路時,在發射極與基極之間加上規定的反向電壓時發射極的電流,它實際上是發射結的反向飽和電流.
(4)直流電流放大系數β1(或hEF) 這是指共發射接法,沒有交流信號輸入時,集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即:
β1=Ic/Ib
2、交流參數
(1)交流電流放大系數β(或hfe) 這是指共發射極接法,集電極輸出電流的變化量△Ic與基極輸入電流的變化量△Ib之比,即:
β= △Ic/△Ib
一般晶體管的β大約在10-200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩定.
(2)共基極交流放大系數α(或hfb) 這是指共基接法時,集電極輸出電流的變化是△Ic與發射極電流的變化量△Ie之比,即:
α=△Ic/△Ie
因為△IcBVceo,管子就會被擊穿.
(5)集電極最大允許耗散功率PCM 集電流過Ic,溫度要升高,管子因受熱而引起參數的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率稱為PCM.管子實際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=Uce×Ic.使用時慶使Pc
三極管5610,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關。晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。
三極管:
名 稱 封裝 極性 功 能 耐 壓 電 流 功 率 頻 率配對管
D633 28 NPN 音頻功放開關 100V 7A 40W 達林頓
9013 21 NPN 低頻放大 50V 0.5A 0.625W 9012
9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015
9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014
9018 21 NPN 高頻放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ
8050 21 NPN 高頻放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550
8550 21 PNP 高頻放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050
2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS
2N2369 4A NPN 開關 40V 0.5A 0.3W 800MHZ
2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS
2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955
2N3440 6 NPN 視放 開關 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609
2N3773 12 NPN 音頻功放開關 160V 16A 50W
2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A
2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A
2N2222A 21鐵 NPN 高頻放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ
2N6718 21鐵 NPN 音頻功放開關 100V 2A 2W