MB芯片

定義:MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著)芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產品

特點:1、 采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.

Thermal Conductivity

GaAs: 46 W/m-K

GaP: 77 W/m-K

Si: 125 ~ 150 W/m-K

Cupper:300~400 W/m-k

SiC: 490 W/m-K

2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.

3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍)，更適應于高驅動電流領域。4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱

5、尺寸可加大﹐應用于High power 領域﹐eg : 42mil MB

GB芯片 折疊

定義:GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結合)芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產品

特點: 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.

2﹕芯片四面發光﹐具有出色的Pattern圖LED芯片
LED芯片

3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)

4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極TS芯片定義和特點

定義:TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專利產品。

特點:1.芯片工藝制作復雜﹐遠高于AS LED

2. 信賴性卓越

3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高

4.應用廣泛

定義:AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收襯底)芯片﹔經過近四十年的發展努力﹐臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特點: 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規芯片要亮

2. 信賴性優良

3. 應用廣泛

芯片種類 折疊

1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2、VPE:Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs

5、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs

6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs