肖特基二極管廠家價格是6元，肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導體器件，它不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管和快恢復二極管又什么區別快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關電源。肖特基二極管和快恢復二極管區別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~！前者的優點還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當然都是二極管阿~！快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.肖特基二極管：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。快恢復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件超快速二極管的反向恢復特性

大電流肖特基二極管1.5元。肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100ns(納秒)以下。 　 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--1.0V）、反向恢復時間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。 肖特基二極管和快恢復二極管區別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒！ 　前者的優點還有低功耗，大電流，超高速！電特性當然都是二極管！快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件. 　肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于150V），通態壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復時間。它是有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。　 快恢復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.　 快恢復二極管FRD（Fast Recovery Diode）是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極管SRD（Superfast Recovery Diode），則是在快恢復二極管基礎上發展而成的，其反向恢復時間trr值已接近于肖特基二極管的指標。它們可廣泛用于開關電源、脈寬調制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二極管或整流管，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。 1．性能特點1）反向恢復時間反向恢復時間tr的定義是：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流。Irr為反向恢復電流，通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢復電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時刻達到規定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。2）快恢復、超快恢復二極管的結構特點快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內部包含兩只快恢復二極管，根據兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C 20-04型快恢復二極管（單管）的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復二極管的外形與構造。它們均采用TO-220塑料封裝，主要技術指標見表1。 幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測方法1）測量反向恢復時間測量電路如圖3。由直流電流源供規定的IF，脈沖發生器經過隔直電容器C加脈沖信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。設器件內部的反向恢電荷為Qrr，有關系式 trr≈2Qrr/IRM 由式(5.3.1)可知，當IRM 為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。2）常規檢測方法在業余條件下，利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向導電性，以及內部有無開路、短路故障，并能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實例：測量一只超快恢復二極管，其主要參數為：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。將萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為6.4Ω，n′=19.5格；反向電阻則為無窮大。進一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。注意事項：1）有些單管，共三個引腳，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。2）若對管中有一只管子損壞，則可作為單管使用。3）測正向導通壓降時，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測試電流太小，遠低于管子的正常工作電流，故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中，如果選擇R×1k檔測量，正向電阻就等于2.2kΩ，此時n′=9格。由此計算出的VF值僅0.27V，遠低于正常值(0.6V)。

大電流肖特基二極管1.5元。肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

選購肖特基的時候主要考慮電流和耐壓，不過現在越來越多人開始考慮壓降的問題，壓降越高，功率太大，目前很多做肖特基的大廠，像ASEMI，強茂，VISHY等都開始陸續推出低壓降的肖特基系列

肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

拜托，不是所有的二極管都想1N400X那樣成系列的，在我印象中就整流管有系列。肖特基管都是按具體型號算的，常用的有1N5819,開關二極管最常用的就是1N4148了，情況同肖特基管。快恢復管有系列的，最常見的是FR107-FR607系列，不同的數字代表額定電流。

你這個關鍵詞還真不好查到，你應該用貼片肖特基二極管查詢，結果就多了。我們用整流橋比較多，貼片肖特基二極管不是很懂，你可以了解下ASEMI的，型號介紹都非常全面的，我們找別的型號都能找到。

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您好,這里是探討關于裝修問題的版塊,如果您有什么關于裝飾裝修的疑問可以在這里提問,有了解的人會盡力幫助您,但是請不要發布一些與裝修無關的內容,謝謝

您好，廠家價格在5元左右浮動，肖特基二極管主要優點： 1、正向壓降低，約只有一般硅二極管的一半。在下向導通時由于正向電壓低消耗的二極管上的功耗也小。 2、反向恢復時間小，比超快速恢復管還要小得多。在高頻電路中除了正向導通功耗外還有較大的功耗就是開關功耗，反向恢復時間越小開關功耗也就越小。

肖特基二極管主要優點： 1、正向壓降低，約只有一般硅二極管的一半。在下向導通時由于正向電壓低消耗的二極管上的功耗也小。 2、反向恢復時間小，比超快速恢復管還要小得多。在高頻電路中除了正向導通功耗外還有較大的功耗就是開關功耗，反向恢復時間越小開關功耗也就越小。

SBT2060VCT 低壓降的管子現在還屬于前沿技術，大規模應用應該還不怎么流行吧。我記得有個臺灣ASEMI主營做這款管子的

MBR1045CT肖特基二極管并且封裝應該TO-220AB半塑封能用普通整流二極管替代肖特基適應高頻超高頻電路整流普通整流二極管能適用低頻電路整流您做維修吧所找找MBR1045CT原型號比較放ASEMI應該款您找找看

肖特基整流二極管 型號 額定I（AV）A VRRM V向峰值電壓 浪涌電流IFSM A 反向恢復時間ns SB020 0.6 20 20 10 SB030 0.6 30 20 10 SB040 0.6 40 20 10 1N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10

你好，大電流肖特基二極管價格120--340元，肖特基二極管反向漏極電流,需要根據你的實際使用來先擇，規格書里標稱的都是按照最大反向電壓，最高環境溫度標注． 需忘漏電流小可以選用高耐壓的肖特基。

肖特基二極管作為功率器件，工作狀態下本身就有一定的功率損耗，壓降越低這個無效能耗就越少，所以說越低代表性能越好的。性能品質方面肯定是歐美牌子做得比較好，不過價格偏高，像臺灣的牌子也還不錯的，ASEMI，PEC等性價就不錯。

常用的有引線式肖特基二極管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型號，各管的主要參數見表

這款是整流橋，單排三相整流橋50A1600V的。之前就用過這款料是ASEMI的，不過價格有點貴，若不要出口的訂單還真不舍得用這么貴的物料。