變?nèi)荻O管工作原理
時間 : 2024-11-27
導語：今天小兔給大家介紹一下關于變?nèi)荻壒艿南嚓P知識，對于變?nèi)荻壒艽蠹也⒉皇煜ぃ芏嗟呐笥延捎诼殬I(yè)上的原因對于這種電子元件的了解都是非常少的。小兔先于大家簡單的介紹一下，關于變?nèi)荻壒艽蠹矣纸凶隹勺兛苟O管。在現(xiàn)在的電子產(chǎn)品當中變?nèi)荻壒艿膽檬欠浅５膹V泛的，接下來的時間里面小兔就給大家介紹一下它的工作原理。
變?nèi)荻O管(Varactor Diodes)為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生，PN(正負極)結的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴散電容效應;當外加反向偏壓時，則會產(chǎn)生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生，所以在應用上均供給反向偏壓。
變?nèi)荻O管也稱為壓控變?nèi)萜鳎歉鶕?jù)所提供的電壓變化而改變結電容的半導體。也就是說，作為可變電容器，可以被應用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。
其實我們可以把它看成一個PN結，我們想，如果在PN結上加一個反向電壓V(變?nèi)荻O管是反向來用的)，則N型半導體內(nèi)的電子被引向正極，P型半導體內(nèi)的空穴被引向負極，然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設為d，隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二極管的電容量C就減少(根據(jù)C=kS/d)，而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y容量C。達到了目的。
變?nèi)荻O管是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖4-18所示。通常，中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。常用變?nèi)荻O管參數(shù)。
上面就是變?nèi)荻O管的工作原理，相信大家看完以后對于變?nèi)荻O管的知識也有了一定的了解，在現(xiàn)在很多的特殊的應用的電器里面都有變?nèi)荻O管的存在著的。變?nèi)荻O管具有以下的特點。變?nèi)荻O管具有當反向的電壓加大的時候，電容的量值就會降低，同樣當施加的反向的電壓減少的時候，電容就會增加。關于變?nèi)荻O管的介紹就到這里。
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