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瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同，分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法 (μF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000納法 (nF)，1納法=1000皮法(pF).
容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10 μF/16V
容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示
字母表示法：2m=2000 μF 1P2=1.2PF 2n=2000PF
數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。
例如：102表示標(biāo)稱容量為1000pF。
211表示標(biāo)稱容量為210pF。
214表示標(biāo)稱容量為21x10(4)pF。
在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。例如：219表示標(biāo)稱容量為21x(10-1)pF=2.2pF。
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電解電容、鉭電容有極性,安裝時(shí)需要注意.調(diào)頻瓷片電容、滌綸電容等沒有極性.需要注意的是：電解電容也有一種無極性的電容是用在高檔音響分頻電路的,這種電容體上沒有“＋”、“－”的標(biāo)記.
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電子元器件是專業(yè)型的產(chǎn)品，技術(shù)含量較高，由于本身可能存在著多種品牌，后輟與封裝，所以可能導(dǎo)致參數(shù)與性能的差異，所以我推薦你買捷配這個(gè)品牌，一個(gè)售價(jià)在8~10快
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瓷片電容是沒有極性的，因?yàn)榇善娙輿]有正負(fù)極之分，也就沒有發(fā)生電解質(zhì)。極性自然而然是沒有的。在安裝的時(shí)候可以隨意安裝。
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瓷片電容的電容量一般以pF（10的-12次方F）為單位，早期產(chǎn)品多采用直接標(biāo)注，如1000p、220p等；現(xiàn)在一般以常用指數(shù)表示法，如102、221，前兩位數(shù)是電容量的有效數(shù)字，后一位數(shù)是后面添零的個(gè)數(shù)，如102表示有效數(shù)是10，2表示后面再添2個(gè)0，即1000pF；221表示有效數(shù)22，1表示后面再添1個(gè)0，即220pF。
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你好，陶瓷電容的概念：陶瓷電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
瓷片電容分的概念：瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
二者聯(lián)系和區(qū)別：瓷片電容的高頻特性好，但電容值最大只能做到0.1uF。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種。瓷片電容的在識(shí)別上與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。
希望我的回答可以幫到你，謝謝。
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1、微型化,高頻化,超低損耗,低ESR,高穩(wěn)定,高耐壓,高絕緣,高可靠,無極性,低容值,低成本,耐高溫.主要應(yīng)用于高頻電路中.
2、微型化,高比容,中高壓,無極性,高可靠,耐高溫,低ESR,低成本.主要應(yīng)用于中,低頻電路中作隔直,耦合,旁路和濾波等電容器使用。
優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定，絕緣性好，耐高壓
缺點(diǎn)：容量比較小
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很簡(jiǎn)單的，主要區(qū)別如下：
多層瓷片電容器容量大，但不耐高電壓，容量不穩(wěn)定，壽命較短，用于低壓、低頻電路。
瓷片電容器容量小，耐壓高，穩(wěn)定性好，用于高壓、高頻電路。
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一般瓷片電容都是3位數(shù)表示，比如621就是前面兩個(gè)是有效數(shù)字后面一個(gè)就是零的個(gè)數(shù)，即620P，，注：沒有標(biāo)明P或者N的都是P標(biāo)注有的就按實(shí)際的，兩位的也有，兩位的就按兩個(gè)有效數(shù)字看，電壓一般都直接標(biāo)明。基本上和電阻的一樣，我就想到了這么多
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一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率。
如:102表示10×10的2次方PF=1000PF 224表示22×10的4次方PF=0.22 uF
規(guī)格型號(hào) 每個(gè)廠家不同 甚至可以定做
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瓷片電容材質(zhì)就是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器常用于高壓場(chǎng)合。陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因介電常數(shù)不高，所以容量做不大;II類瓷，X7R次之，溫度特性和電壓特性較好;III類瓷，介電常數(shù)高，所以容量可以做很大，但溫度特性和電壓特性不太好。 瓷片電容器一般體積不大。另外，再強(qiáng)調(diào)一個(gè)重要特點(diǎn):瓷介電容器擊穿后，往往呈短路狀態(tài)。(這是它的弱點(diǎn))而薄膜電容器失效后，一般呈開路狀態(tài)。
適用范圍
高壓瓷片電容器的典型作用是可以消除高頻干擾，廣泛應(yīng)用于負(fù)離子產(chǎn)品、激光、X光機(jī)、控測(cè)設(shè)備、高壓包、點(diǎn)火器、發(fā)生器、變壓器、電力設(shè)備、倍壓模塊、焊機(jī)、靜電噴涂及其他需要高壓高頻的機(jī)電設(shè)備。
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瓷片電容規(guī)格按瓷介電容電介質(zhì)又分:1類電介質(zhì)(NP0,C0G),2類電介質(zhì)(X7R,2X1)和3類電介質(zhì)(Y5V,2F4)瓷介電容器。EIA RS-198。 瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
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一般瓷片電容都是3位數(shù)表示，比如621就是前面兩個(gè)是有效數(shù)字后面一個(gè)就是零的個(gè)數(shù)，即620P，，注：沒有標(biāo)明P或者N的都是P標(biāo)注有的就按實(shí)際的，兩位的也有，兩位的就按兩個(gè)有效數(shù)字看，電壓一般都直接標(biāo)明。基本上和電阻的一樣，我就想到了這么多。
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N750 Y5E Y5P Y5U Z5U Y5V。。。。。。。
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能承受高電壓的電容叫高壓電容。作用和一般電容一樣，看您用在什么地方了，性能也很穩(wěn)定
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瓷片只插件薄膜型陶瓷電容，分類：
1、高壓陶瓷電容，一般耐壓1KV以上的。
2、中壓陶瓷電容，一般指100-1KV的。
3、低壓陶瓷電容，一般指100V以下的。
至于型號(hào)：就和普通電容一樣，基本的容值都有。1p-104pf里都有。
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高壓瓷片電容器，就是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器。高壓瓷片電容器，一個(gè)主要的特點(diǎn)就是耐壓高
高壓瓷片電容器
，2KV、3KV電壓很常見。常用于高壓場(chǎng)合。陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因介電常數(shù)不高，所以容量做不大；II類瓷，X7R次之，溫度特性和電壓特性較好；III類瓷，介電常數(shù)高，所以容量可以做很大，但溫度特性和電壓特性不太好。 ??瓷片電容器一般體積不大。另外，再強(qiáng)調(diào)一個(gè)重要特點(diǎn)：瓷介電容器擊穿后，往往呈短路狀態(tài)。（這是它的弱點(diǎn)）而薄膜電容器失效后，一般呈開路狀態(tài)。
高壓瓷片電容器的典型作用是可以消除高頻干擾，廣泛應(yīng)用于負(fù)離子產(chǎn)品、激光、X光機(jī)、控測(cè)設(shè)備、高壓包、點(diǎn)火器、發(fā)生器、變壓器、電力設(shè)備、倍壓模塊、焊機(jī)、靜電噴涂及其他需要高壓高頻的機(jī)電設(shè)備。
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瓷片電容的電容量一般以pF（10的-12次方F）為單位，早期產(chǎn)品多采用直接標(biāo)注，如1000p、220p等；現(xiàn)在一般以常用指數(shù)表示法，如102、221，前兩位數(shù)是電容量的有效數(shù)字，后一位數(shù)是后面添零的個(gè)數(shù)，如102表示有效數(shù)是10，2表示后面再添2個(gè)0，即1000pF；221表示有效數(shù)22，1表示后面再添1個(gè)0，即220pF。
希望我的回答能幫到你。
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瓷片電容型號(hào)有
1、Y1安規(guī)電容屬于瓷片電容的范疇，只是安規(guī)電容的要求高很多，測(cè)試電壓是額定電壓的10倍，而普通測(cè)試電壓就是1.5倍+500V的，所以會(huì)特別發(fā)開來。
2、Y1安規(guī)電容，測(cè)試耐壓是8KVdc，4KVac。
3、STE是汕頭松田的品牌。750V可能是其他一些測(cè)試參數(shù)，也許你直接致電他們會(huì)解釋得更清楚。
希望我的回答對(duì)你有幫助。
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你好，如果不是超精密電路，用瓷片電容是沒有問題的。
附兩類電容的特性比較---------------------------------------------------------------------
1．瓷介電容器（型號(hào)CC）
a．陶瓷材料介電常數(shù)ε很大，故電容器體積可作得很小。
b．穩(wěn)定性好。從化學(xué)性能講，酸、堿、鹽類和水對(duì)陶瓷材料的侵蝕性很小，從耐熱性能看，陶瓷材料在高達(dá)500~600℃的高溫下，能長(zhǎng)期工作而不老化。
c．損耗角正切tgδ與頻率無關(guān)，適用于高頻電路。
d．具有良好的絕緣性能，可制成高壓電容器，供高壓電路使用。
e．不同成份的陶瓷，其介電常數(shù)和溫度系數(shù)不同，其溫度系數(shù)范圍很寬，便于制成不同溫度系數(shù)的電容器，用作溫度補(bǔ)償電容。
f．結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，原料豐富，便于大
量生產(chǎn)，是應(yīng)用極廣泛的電容器。
g．機(jī)械強(qiáng)度低，易碎易裂。
2.有機(jī)膜式電容
（1）滌綸電容器（型號(hào)CL）
滌綸電容器的介質(zhì)為滌綸薄膜，其電容量和耐壓范圍寬，體積小，容量大，耐高溫，成本低。但tgδ隨頻率變化較大，故多用于對(duì)tgδ、穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合，如直流及脈動(dòng)電路中。
（2）聚苯乙烯薄膜電容器（型號(hào)CB）絕緣電阻大，tgδ小，但tgδ隨溫度和頻率升高而增加，電容量穩(wěn)定，充電1000小時(shí)仍可保持電荷量的95%，精度高，容量范圍：10pF~1μF，額定工作電壓30V~1.5kV，常作為精密電容器使用。
（3）聚碳酸酯薄膜電容器（型號(hào)CS）
該電容器的頻率特性較滌綸為好，電容量及tgδ隨頻率的變化較小，可用于低壓交直流電路中。
（4）聚四氟乙烯電容器（型號(hào)CBF）
聚四氟乙烯在400℃下長(zhǎng)期加熱不碳化，有“塑料王”之稱，絕緣電阻比聚苯乙烯大，電性能隨頻率的變化小，但精度較低，一般為±10%~±20%。主要用于高溫、高性能的特殊場(chǎng)合。
（5）聚丙烯電容器（型號(hào)CBB）
絕緣電阻，tgδ對(duì)頻率的穩(wěn)定性等電性能僅次于聚苯乙烯電容器，多用于高壓范圍內(nèi)。
